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廣州可控硅光耦經銷商

來源: 發(fā)布時間:2023-05-02 點擊量:581

交流感應電機在此應用中很常見,可控硅光耦并且始終由功率級中使用的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 驅動。 典型的總線電壓為 200 VDC 至 1,000 VDC。 IGBT 使用電子換向來實現交流感應電機所需的正弦電流。

該設備充當開關元件。 同時,由于上述光耦優(yōu)異的隔離性能和輸出功能,被廣泛應用于大功率固態(tài)繼電器中作為隔離驅動器件。 可采用普通晶體管輸出光耦和交流輸入光耦來滿足固態(tài)繼電器對直流和交流輸入控制的需要。 


可控硅光耦

如果你好奇,我建議你拆開一個固態(tài)繼電器,看看里面。 如果你對電路有一點了解,你可以根據里面的電路自己制作。 一個,嗯! 其實不難,就是少了一個漂亮的貝殼!

當輸入信號Vi經晶體管BG1和BG2的前級放大后,驅動光電耦合器左側的LED發(fā)光,并全部被右側光敏管吸收,轉換為電信號。該信號由后級電路BG3放大,管子經過電容C3后,發(fā)射極輸出一個未失真的放大信號V0

一般的,光耦的電流傳輸比CTR的允許范圍是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要較大的工作電流來驅動,甚至會增加電路功耗,再者單片機I/O口也不能提供過大電流,若CTR值過大,在啟動電路或者當負載發(fā)生突變時,有可能系統(tǒng)不穩(wěn)定,影響正常輸出

IF不同不同對應的CTR也不同,并且數據差異還很大,一般情況下在IF=5ma時,CTR值都應該與原有光耦所用區(qū)域CTR值的大體一致,要不然產品動態(tài)性很差,替代時需要注意選取合適的IF電流,使輸入控制電流的變動都能及時反饋到輸出端,保證產品反饋環(huán)的穩(wěn)定。

可控硅光耦為提高光控晶閘管觸發(fā)靈敏度,門極區(qū)常采用放大門極結構或雙重放大門極結構。為滿足高的重加電壓上升率,常采用陰極發(fā)射極短路結構。

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